| 1N5406 | |
|---|---|
| Daļas numurs | 1N5406 |
| Ražotājs | ON Semiconductor |
| Apraksts | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Pieejamais daudzums | 10443 pcs new original in stock. Pieprasīt krājumus un citātus |
| ECAD modelis | |
| Datu lapas | 1N5406.pdf |
| 1N5406 Price |
Pieprasīt cenu un vadīt laiku tiešsaistē or Email us: Info@ariat-tech.com |
| 1N5406 tehniskā informācija | |||
|---|---|---|---|
| Ražotāja daļas numurs | 1N5406 | Kategorija | Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi |
| Ražotājs | ON Semiconductor | Apraksts | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Iepakojums / lieta | Bulk | Pieejamais daudzums | 10443 pcs |
| Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais) | Standard | Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja | 3A |
| Spriegums - sadalījums | DO-201AD | Sērija | - |
| RoHS statuss | Bulk | Reverss atkopšanas laiks (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Pretestība @ Ja F, | - | Polarizācija | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Citi vārdi | 1N5406OS | Montāžas tips | Through Hole |
| Mitruma jutīguma līmenis (MSL) | 1 (Unlimited) | Ražotāja daļas numurs | 1N5406 |
| Paplašināts apraksts | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD | Diode konfigurācija | 10µA @ 600V |
| Apraksts | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr | 1V @ 3A |
| Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi) | 600V | Ietilpība @ Vr, F | -65°C ~ 170°C |
| Lejupielādēt | 1N5406 PDF - EN.pdf | ||
Nosūtiet mums e-pastu: Info@Ariat-Tech.com vai RFQ 1N5406 tiešsaistē.
| 1N5406 krājums | 1N5406 cena | 1N5406 elektronika | |||
| 1N5406 komponenti | 1N5406 inventārs | 1N5406 Digikey | |||
| Piegādātājs 1N5406 | Pasūtiet 1N5406 tiešsaistē | Izmeklēšana 1N5406 | |||
| 1N5406 attēls | 1N5406 attēls | 1N5406 PDF | |||
| 1N5406 datu lapa | Lejupielādējiet 1N5406 datu lapu | Ražotājs | |||
| Saistītās 1N5406 daļas | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Attēls | Daļas numurs | Apraksts | Ražotājs | Saņemt citātu | |
 |
1N5406-TP | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Micro Commercial Co | ||
 |
1N5406-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
1N5406-E3/51 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
 |
1N5405 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
1N5406-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | N/A | ||
 |
1N5406-G | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Comchip Technology | ||
|
1N5405-E3/54 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
 |
1N5406-B | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Diodes Incorporated | ||
|
1N5404RLG | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | N/A | ||
|
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | N/A | ||
|
1N5406 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Fairchild/ON Semiconductor | ||
|
1N5404TA | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | SMC Diode Solutions | ||
|
1N5405-E3/54 | DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
1N5406-E3/51 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
1N5406-T | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Diodes Incorporated | ||
 |
1N5404RLG | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | ON Semiconductor | ||
|
1N5406-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
|
1N5406-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||
|
1N5404TA | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | SMC Diode Solutions | ||
Jaunumi
Vairāk
Tā kā tehnoloģija attīstās un nonāk vecuma vecums, optiskie tīkli, efektīva un uzticama datu pārraides metode, pakāpeniski pārveido mūsu d...
Tā kā mājas 16. aprīlī ziņoja, ka saskaņā ar "Globālā pusvadītāju aprīkojuma tirgus pārskatu", ko nesen publicējis pusvadītāju nozare...
Zviedrijas savienība, ja Metāls 10. aprīlī paziņoja, ka Tesla mehānikas streiks ir viens no garākajiem darba strīdiem valstī, un tā turpina ...
Nesen lielākie uzglabāšanas ražotāji, piemēram, Micron, Samsung un Western Digital, ir paziņojuši par cenu pieaugumu.Nozares iekšējie pārst...
Gaisā parastā skābekļa satura tilpuma daļa ir aptuveni 20,9%, bet, kad skābekļa saturs nokrīt zem šīs vērtības, tas var izraisīt hipoksij...
jauni produkti
Vairāk
PD30 sērijas fotoelektriskais sensors Carlo Gavazzi miniatūrie fotoelektriskie sensori kompaktā i...
XC112 / XR112 novērtēšanas komplekts A111 saskaņotajam radaram Acconeer XC112 un XR112 novērtē...
MINAS A6 sērijas servopiedziņas un motori Panasonic MINAS A6 saime nodrošina stabilu darbību, l...
UV LED draivera dēlis RayVio UV LED draivera plāksne XE un XP1 sērijas UV-C emitētājiem RayVi...
Rūpnieciskā un paplašinātā testa DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM ierīces garantē darbību paaugs...
E-pasts: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PIEVIENOT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Honkonga.
Paziņojums par autortiesībām © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Visas tiesības aizsargātas.