| FDP027N08B | |
|---|---|
| Daļas numurs | FDP027N08B |
| Ražotājs | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Apraksts | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Pieejamais daudzums | 31500 pcs new original in stock. Pieprasīt krājumus un citātus |
| ECAD modelis | |
| Datu lapas | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
Pieprasīt cenu un vadīt laiku tiešsaistē or Email us: Info@ariat-tech.com |
| FDP027N08B tehniskā informācija | |||
|---|---|---|---|
| Ražotāja daļas numurs | FDP027N08B | Kategorija | Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi |
| Ražotājs | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Apraksts | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Iepakojums / lieta | Tube | Pieejamais daudzums | 31500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tehnoloģija | MOSFET (Metal Oxide) | Piegādātāja ierīču komplekts | TO-220-3 |
| Sērija | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Jaudas izkliedes (maksimums) | 246W (Tc) | Iepakojums | Tube |
| Iepakojums / lieta | TO-220-3 | Darbības temperatūra | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montāžas tips | Through Hole | Mitruma jutīguma līmenis (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss | Lead free / RoHS Compliant | Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs | 178nC @ 10V | FET tips | N-Channel |
| FET iezīme | - | Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi) | 10V |
| Drain to avota spriegumam (Vdss) | 80V | Detalizēts apraksts | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| Lejupielādēt | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
Nosūtiet mums e-pastu: Info@Ariat-Tech.com vai RFQ FDP027N08B tiešsaistē.
| FDP027N08B krājums | FDP027N08B cena | FDP027N08B elektronika | |||
| FDP027N08B komponenti | FDP027N08B inventārs | FDP027N08B Digikey | |||
| Piegādātājs FDP027N08B | Pasūtiet FDP027N08B tiešsaistē | Izmeklēšana FDP027N08B | |||
| FDP027N08B attēls | FDP027N08B attēls | FDP027N08B PDF | |||
| FDP027N08B datu lapa | Lejupielādējiet FDP027N08B datu lapu | Ražotājs | |||
| Saistītās FDP027N08B daļas | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Attēls | Daļas numurs | Apraksts | Ražotājs | Saņemt citātu | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Jaunumi
Vairāk
Tā kā tehnoloģija attīstās un nonāk vecuma vecums, optiskie tīkli, efektīva un uzticama datu pārraides metode, pakāpeniski pārveido mūsu d...
Tā kā mājas 16. aprīlī ziņoja, ka saskaņā ar "Globālā pusvadītāju aprīkojuma tirgus pārskatu", ko nesen publicējis pusvadītāju nozare...
Zviedrijas savienība, ja Metāls 10. aprīlī paziņoja, ka Tesla mehānikas streiks ir viens no garākajiem darba strīdiem valstī, un tā turpina ...
Nesen lielākie uzglabāšanas ražotāji, piemēram, Micron, Samsung un Western Digital, ir paziņojuši par cenu pieaugumu.Nozares iekšējie pārst...
Gaisā parastā skābekļa satura tilpuma daļa ir aptuveni 20,9%, bet, kad skābekļa saturs nokrīt zem šīs vērtības, tas var izraisīt hipoksij...
jauni produkti
Vairāk
PD30 sērijas fotoelektriskais sensors Carlo Gavazzi miniatūrie fotoelektriskie sensori kompaktā i...
XC112 / XR112 novērtēšanas komplekts A111 saskaņotajam radaram Acconeer XC112 un XR112 novērtē...
MINAS A6 sērijas servopiedziņas un motori Panasonic MINAS A6 saime nodrošina stabilu darbību, l...
UV LED draivera dēlis RayVio UV LED draivera plāksne XE un XP1 sērijas UV-C emitētājiem RayVi...
Rūpnieciskā un paplašinātā testa DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM ierīces garantē darbību paaugs...
E-pasts: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PIEVIENOT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Honkonga.
Paziņojums par autortiesībām © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Visas tiesības aizsargātas.