| IRF6722STR1PBF | |
|---|---|
| Daļas numurs | IRF6722STR1PBF |
| Ražotājs | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Apraksts | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Pieejamais daudzums | 2801 pcs new original in stock. Pieprasīt krājumus un citātus |
| ECAD modelis | |
| Datu lapas | |
| IRF6722STR1PBF Price |
Pieprasīt cenu un vadīt laiku tiešsaistē or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IRF6722STR1PBF tehniskā informācija | |||
|---|---|---|---|
| Ražotāja daļas numurs | IRF6722STR1PBF | Kategorija | Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi |
| Ražotājs | International Rectifier (Infineon Technologies) | Apraksts | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Iepakojums / lieta | Tape & Reel (TR) | Pieejamais daudzums | 2801 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA | Tehnoloģija | MOSFET (Metal Oxide) |
| Piegādātāja ierīču komplekts | DIRECTFET™ ST | Sērija | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 13A, 10V | Jaudas izkliedes (maksimums) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Iepakojums | Tape & Reel (TR) | Iepakojums / lieta | DirectFET™ Isometric ST |
| Darbības temperatūra | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montāžas tips | Surface Mount |
| Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds | 1320pF @ 15V | Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| FET tips | N-Channel | FET iezīme | - |
| Drain to avota spriegumam (Vdss) | 30V | Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 58A (Tc) |
| Lejupielādēt | IRF6722STR1PBF PDF - EN.pdf | ||
Nosūtiet mums e-pastu: Info@Ariat-Tech.com vai RFQ IRF6722STR1PBF tiešsaistē.
| IRF6722STR1PBF krājums | IRF6722STR1PBF cena | IRF6722STR1PBF elektronika | |||
| IRF6722STR1PBF komponenti | IRF6722STR1PBF inventārs | IRF6722STR1PBF Digikey | |||
| Piegādātājs IRF6722STR1PBF | Pasūtiet IRF6722STR1PBF tiešsaistē | Izmeklēšana IRF6722STR1PBF | |||
| IRF6722STR1PBF attēls | IRF6722STR1PBF attēls | IRF6722STR1PBF PDF | |||
| IRF6722STR1PBF datu lapa | Lejupielādējiet IRF6722STR1PBF datu lapu | Ražotājs International Rectifier (Infineon Technologies) | |||
| Saistītās IRF6722STR1PBF daļas | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Attēls | Daļas numurs | Apraksts | Ražotājs | Saņemt citātu | |
 |
IRF6721STRPBF IC | IR SOP | IR | ||
 |
IRF6720S2TR1PBF | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
 |
IRF6723M2DTR1P | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6723M2DTRPBF | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6724MTRPBF. MOS | IR DIRECTFET | IR | ||
|
IRF6721TRPBF | IRF6721TRPBF IR | IR | ||
 |
IRF6721STR1PBF | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
 |
IRF6721STRPBF MOS | INFINEON DIRECTFET | INFINEON | ||
|
IRF6724MTRPBF. | IRF6724MTRPBF. IR | IR | ||
 |
IRF6725MTR1PBF | MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6720S2TRPBF | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 | Infineon Technologies | ||
 |
IRF6718L2TRPBF | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 | Infineon Technologies | ||
 |
IRF6722MTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6724MTR1PBF | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6724MTR1PBF. | IRF6724MTR1PBF. IR | IR | ||
|
IRF6724MTRPBF | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6723M2DTRPBF. | IRF6723M2DTRPBF. IR | IR | ||
|
IRF6722MTR1PBF | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6722STRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
|
IRF6721STRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | Infineon Technologies | ||
Jaunumi
Vairāk
Tā kā tehnoloģija attīstās un nonāk vecuma vecums, optiskie tīkli, efektīva un uzticama datu pārraides metode, pakāpeniski pārveido mūsu d...
Tā kā mājas 16. aprīlī ziņoja, ka saskaņā ar "Globālā pusvadītāju aprīkojuma tirgus pārskatu", ko nesen publicējis pusvadītāju nozare...
Zviedrijas savienība, ja Metāls 10. aprīlī paziņoja, ka Tesla mehānikas streiks ir viens no garākajiem darba strīdiem valstī, un tā turpina ...
Nesen lielākie uzglabāšanas ražotāji, piemēram, Micron, Samsung un Western Digital, ir paziņojuši par cenu pieaugumu.Nozares iekšējie pārst...
Gaisā parastā skābekļa satura tilpuma daļa ir aptuveni 20,9%, bet, kad skābekļa saturs nokrīt zem šīs vērtības, tas var izraisīt hipoksij...
jauni produkti
Vairāk
PD30 sērijas fotoelektriskais sensors Carlo Gavazzi miniatūrie fotoelektriskie sensori kompaktā i...
XC112 / XR112 novērtēšanas komplekts A111 saskaņotajam radaram Acconeer XC112 un XR112 novērtē...
MINAS A6 sērijas servopiedziņas un motori Panasonic MINAS A6 saime nodrošina stabilu darbību, l...
UV LED draivera dēlis RayVio UV LED draivera plāksne XE un XP1 sērijas UV-C emitētājiem RayVi...
Rūpnieciskā un paplašinātā testa DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM ierīces garantē darbību paaugs...
E-pasts: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966PIEVIENOT: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Honkonga.
Paziņojums par autortiesībām © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Visas tiesības aizsargātas.