| BYG10D-E3/TR3 | |
|---|---|
| Daļas numurs | BYG10D-E3/TR3 |
| Ražotājs | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Apraksts | DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC |
| Pieejamais daudzums | 56200 pcs new original in stock. Pieprasīt krājumus un citātus |
| ECAD modelis | |
| Datu lapas | 1.BYG10D-E3/TR3.pdf2.BYG10D-E3/TR3.pdf |
| BYG10D-E3/TR3 Price |
Pieprasīt cenu un vadīt laiku tiešsaistē or Email us: Info@ariat-tech.com |
| BYG10D-E3/TR3 tehniskā informācija | |||
|---|---|---|---|
| Ražotāja daļas numurs | BYG10D-E3/TR3 | Kategorija | Savienotāji, starpsavienojumi |
| Ražotājs | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Apraksts | DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC |
| Iepakojums / lieta | DO-214AC (SMA) | Pieejamais daudzums | 56200 pcs |
| Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja | 1.15 V @ 1.5 A | Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais) | 200 V |
| Tehnoloģija | Avalanche | Piegādātāja ierīču komplekts | DO-214AC (SMA) |
| Ātrums | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Sērija | - |
| Reverss atkopšanas laiks (trr) | 4 µs | Iepakojums / lieta | DO-214AC, SMA |
| Iesaiņojums | Tape & Reel (TR) | Darba temperatūra - savienojums | -55°C ~ 150°C |
| Montāžas tips | Surface Mount | Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Pašreizējais - vidējais labojums (Io) | 1.5A | Ietilpība @ Vr, F | - |
| Pamatprodukta numurs | BYG10 | ||
| Lejupielādēt | BYG10D-E3/TR3 PDF - EN.pdf | ||
Nosūtiet mums e-pastu: Info@Ariat-Tech.com vai RFQ BYG10D-E3/TR3 tiešsaistē.
| BYG10D-E3/TR3 krājums | BYG10D-E3/TR3 cena | BYG10D-E3/TR3 elektronika |
| BYG10D-E3/TR3 komponenti | BYG10D-E3/TR3 inventārs | BYG10D-E3/TR3 Digikey |
| Piegādātājs BYG10D-E3/TR3 | Pasūtiet BYG10D-E3/TR3 tiešsaistē | Izmeklēšana BYG10D-E3/TR3 |
| BYG10D-E3/TR3 attēls | BYG10D-E3/TR3 attēls | BYG10D-E3/TR3 PDF |
| BYG10D-E3/TR3 datu lapa | Lejupielādējiet BYG10D-E3/TR3 datu lapu | Ražotājs Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
